Кафедра ФКС

Сотрудники

Научная работа

Учебная работа

Объявления и новости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Воротилов Константин Анатольевич - д.т.н., профессор,
зам. декана ф-та «Электроника» по научной работе.

Выпускник Московского государственного института радиотехники электроники
и автоматики (1983 г.), в котором работает с 1983 г.

Читает курсы лекций: «Диэлектрики в микроэлектронике» и
для аспирантов факультета электроники ‑ «Физика, технология, производство и управление качеством изделий электронной техники».

Область научной специализации: микро- и наноэлектроника, физика и технология тонких пленок и наноструктур. Основные научные интересы связаны с экспериментальным исследованием процессов формирования тонких диэлектрических и сегнетоэлектрических пленок, структурных и физических свойств тонкопленочных гетероструктур, а также разработкой устройств микро- и наноэлектроники на основе новых физических принципов.

К.А. Воротилов является автором 200 научных трудов, научным руководителем ряда грантов и НИОКР.

Важнейшие научные результаты и публикации:

 

·         теоретическое и экспериментальное обоснование нового направления в микроэлектронике: интегрированные сегнетоэлектрические устройства (1992-2010)

1.       Orlova E.V., Petrovsky V.I., Pevtsov E.F., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Ferroelectric thin films for microelectronic applications // Ferroelectrics. - 1992. - V. 134. - P. 365-376.

2.       Petrovsky V.I., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Microelectronic applications of ferroelectric films // Integrated Ferroelectrics. - 1993. - V. 3. - P. 59-68.

3.       Sigov A.S., Vorotilov K.A., Valeev A.S., Yanovskaya M.I. Sol-gel films for integrated circuits // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1994. - V. 2. - P. 563-567.

4.       Sigov A.S., Petrovsky V.I., Pevtsov E.F., Vorotilov K.A., Valeev A.S. Fundamental properties and some applications of sol-gel ceramic thin films // NATO ASI Series / Ed. O.Auciello and R.Waser. - Kluwer, 1995. - V. 284. - P. 427-437.

5.       Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы. // Нано- и Микросистемная техника. -2008. - № 10. С. 30-42.

6.       Воротилов К.А., Сигов А.С., Романов А.А., Машевич П.Р. Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры. – 2010. - №1. - С. 45-53.

·         научные основы золь гель технологии сегнетоэлектрических тонких пленок и гетероструктур (1987-2010)

7.       Воротилов К.А., Орлова Е.В., Петровский В.И. Туревская Е.П. Об электрофизических свойствах пленок LiNbO3, полученных алкоксометодом на кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. - 1987. - Вып. 4. - С. 25-28.

8.       Vorotilov K.A.,.Orlova E.V, Petrovsky V.I., Yanovskaya M.I., Ivanov S.A., Turevskaya E.P., Turova N.Ya. BaTiO3 films on silicon wafer from metal alkoxides // Ferroelectrics. - 1991. - V.123. - P. 261-271.

9.       Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Dorokhova O.A. Effect of annealing conditions on alkoxy-derived PZT thin films. Microstructural and CV study // Integrated Ferroelectrics. - 1993. - V. 3. - P. 33-49.

10.   Vasiljev V.A., Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Solovjeva L.I., Sigov A.S. Sol-gel derived barium-strontium titanate films // J.Sol-Gel Science and Technology. - 1998. - V.13. - P. 877-883.

11.   Yanovskaya M.I., Obvintseva I.E., Solovyova L.I., Kovsman E.P., Vorotilov K.A., Vasilyev V.A. Alkoxy-derived ferroelectric PZT films: the effect of lead acetate dehydration techniques and lead content in the electrochemically prepared solutions on the properties of the films // Integrated Ferroelectrics. - 1998. - V.19. - P. 193-209.

12.   Turevskaya E.P., Bergo V.B., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Sokolov S.V., Benlian D. Ferroelectric thin films of bismuth strontium tantalate prepared by alkoxide route // J.Sol-Gel Science and Technology. - 1998. - V.13. - P. 889-893.

13.   Zhigalina O. M., Burmistrova P. V., Vasiliev A. L., Roddatis V. V., Sigov A. S., Vorotilov K. A. Microstructure of PZT Capacitor Structures . – Ferroelectrics. – 2003. - V.286. – P. 311-320.

14.   Vorotilov K.A., Zvorykin V.D., Lebo I.G., Sigov A.S. Laser annealing of thin-film ferroelectric heterostructures. - J. of Russian Laser Research. – 2004. - V.25. - P.234-238.

15.   Воротилов К.А., Жигалина О.М., Сигов А.С. Особенности формирования кристаллической структуры ЦТС в системах Si-SiO2-Ti (TiO2)-Pt-ЦТС // ФТТ. – 2009. - Т. 51. – Вып. 7. - С. 1268-1271.

16.   Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Воротилов К.А., Сигов А.С., Лебо И.Г. Электронная микроскопия структуры композиций СЭ–Pt-Ti-SiO2-Si после лазерного отжига // ФТТ. – 2009. – Т. 51. – Вып. 7. - С. 1398-1399.

·         метод химического осаждения из растворов простых оксидов, органически-модифицированных силикатов (1985-2000)

17.   Воротилов К.А., Концевой Ю.А., Немировский Л.Н., Орлова Е.В., Петровский В.И. Свойства пленок двуокиси титана, полученных из раствора алкоголята титана // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. - 1985. - Вып.1. - С. 11-13.

18.   Vorotilov K.A., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel silicon dioxide films // Thin Solid Films. - 1992. - V. 209. - P. 188-194.

19.   Vorotilov K.A., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel TiO2 films on silicon substrates // Thin Solid Films. - 1992. - V. 207. - P. 180-184.

20.   Maleto M.I., Solovjeva L.I., Turevskaya E.P., Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I. Alkoxy-derived Y2O3 -stabiliezed ZrO2 thin films // Thin Solid Films. - 1994. - V.249. - P. 1-5.

21.   Vorotilov K.A., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Afanasyeva N.I. Structure, properties and applications of phenylmodified silicate films // Thin Solid Films. - 1996. - V. 288. - N 1-2. - P. 57-63.

22.   Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Valeev A.S. ORMOSILS films: properties and microelectronic applications // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1997. - V. 8. - P. 581-584.

23.   Vorotilov K.A., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Sigov A.S. Thin ORMOSILS films with different organics // J.Sol-Gel Science and Technology. - 1998. - V.13. - P. 467-472.

·         метод планаризации многоуровневой разводки СБИС (1991-1997)

24.   Валеев А.С., Воротилов К.А., Петровский В.И. Планаризация изолирующего диэлектрика многоуровневой разводки микросхем путем нанесения сглаживающего слоя из кремнийорганических пленкообразующих растворов // Микроэлектроника. - 1991. - Вып.2 (141). - C. 54-58.

25.   Авторское свидетельство СССР N 1736304. Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах / Воротилов К.А., Валеев А.С., Волк Ч.П., Петровский В.И. - 1992 г.

26.   Валеев А.С., Воротилов К.А. Планаризация многоуровневой металлизации СБИС // Электронная промышленность. - 1994. - Вып. 6. - С. 22-26.

27.   Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Valeev A.S. ORMOSILS films: properties and microelectronic applications // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1997. - V. 8. - P. 581-584.

·         метод формирования low-k диэлектриков (2005-2010)

28.   Васильев В.А., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Гибридные пористые силикатные пленки с управляемой наноструктурой // Нано- и микросистемная техника. – 2007. - № 12(89). - С. 23-28.

29.   Васильев В.А., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Золь-гель метод формирования мезапористых силикатов для систем многоуровневой разводки СБИС и МЭМС-технологии // Наукоемкие технологии. – 2009. - № 11. - С. 48-56.

·         впервые предложен, научно обоснован и промышленно реализован метод химического осаждения из растворов с изменяемой температурой подложки (1992-1995)

30.   Авторское свидетельство СССР N 1736304. Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах / Воротилов К.А., Валеев А.С., Волк Ч.П., Петровский В.И. - 1992 г.

31.   Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A. Effect of processing temperature during spin-on application on the properties of sol-gel silica films // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1994. - V.2. - P. 559-562.

32.   Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A. Spin coating process of sol-gel silica films deposition: effect of spin speed and processing temperature // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1995. - V.5. - P. 173-183.

 

 

фото

 

 

 

 

Кафедра ФКС

Сотрудники

Научная работа

Учебная работа

Объявления и новости

 

 

главная страница МИРЭА