Кафедра ФКС

Сотрудники

Научная работа

Учебная работа

Объявления и новости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Хорин Иван Анатольевич - к.ф.-м.н., старший научный сотрудник Физико-технологического института РАН, доцент кафедры ФКС МИРЭА.

Родился 2 ноября 1975 года.
В 1998 году окончил с отличием Московский государственный институт электроники и математики (технический университет).
С марта 1998 года работает в Физико-технологическом институте РАН. В МИРЭА работает с сентября 2005 года.

Ведет занятия по курсу: «Процессы микро- и нанотехнологии»

Область научных интересов: многоуровневые системы металлизации КМОП ИС, затворные структуры для нанотранзисторов, формирование многослойных металлических тонкопленочных систем методами электронно-лучевого испарения и реактивного магнетронного распыления.

Основные публикации:

1.       А.Г.Васильев, А.А.Орликовский, В.В.Родатис, И.А.Хорин Контактные TiSi2 и барьерные TiN слои для многоуровневой металлизации УБИС// Микроэлектроника 2002 Т.31, № 1, с. 9-15.

2.       В.Ф. Мещеряков, А.Г. Васильев, К.В. Тимонин, И.А. Хорин Структурные неоднородности и магнитные свойства многослойных пленок состава Co/Cu// Кристаллография, 2002, Т. 47, № 6, С. 1135-1143.

3.       А.Г. Васильев, А.Л. Васильев, Р.А. Захаров, А.А. Орликовский, И.А. Хорин, M. Эиндоу Фазообразование в тонких пленках Ta–Ni–N при электронно-лучевом соиспарении на нагретые Si(100) подложки// Микроэлектроника, Т. 32, № 5, (2003) С. 275-281.

4.       А.Г. Васильев, А.Л. Васильев, Р.А. Захаров, А.А. Орликовский, И.А. Хорин, M. Эиндоу Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) при магнетронном распылении на нагретую подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 3-9.

5.       Валиев К.А., Васильев А.Г., Орликовский А.А., Хорин И.А. Современные системы металлизации и их эволюция для нанотранзисторной электроники// Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование. Ред. А.А. Орликовский. М.: Наука. 2005 (Тр. ФТИАН: Т. 18). С. 357-378.

6.       I.A. Khorin, A.A. Orlikovsky, A.E. Rogozhin, A.G. Vasiliev, Simulation of the vertical MOSFET with electrically variable source-drain junctions// Proc. SPIE V. 6260,  Micro- and Nanoelectronics 2005; Editor(s): Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, 2006, P. 542-549.

7.       A.E. Rogozhin, I.A. Khorin, D.G. Drozdov, A.G. Vasiliev, Modeling of Vertical Transistor with Electrically Variable Junctions in ISE TCAD// Proceedings of SPIE V. 7025, Micro- and Nanoelectronics 2007, Editors: Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, 29 April 2008, P. 7025-59.

8.       А.Г. Васильев, Р.А. Захаров, А.А. Орликовский, А.Е. Рогожин, М.С. Сонин, И.А. Хорин, Электрофизические характеристики затворных структур с HfO2, сформированных методом электронно-лучевого испарения// Микроэлектроника, Т. 38, 2009, С. 361-368.

9.       I.A. Khorin, Yu.I. Denisenko, V.N. Gusev, A.A. Orlikovsky, A.E. Rogozhin, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev, Hf-based barrier layers for Cu-metallization// Proc. of SPIE Vol. 7521-39, 75210J-1 – J9, 2010.

10.   A.E. Rogozhin, I.A Khorin, V.V. Naumov, A.A. Orlikovsky, V.V. Ovcharov, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev, CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation// Proc. of SPIE Vol. 7521-37 75210L-1 – L-9, 2010.

 

 

фото

 

 

 

 

Кафедра ФКС

Сотрудники

Научная работа

Учебная работа

Объявления и новости

 

 

главная страница МИРЭА